这篇文章是基于2015年声学楼十周年年会中,深圳东原电子的杨帆发表的论文“一种钕铁硼磁路副磁组装工艺新方法”。 论文中提出了一个很有效率的反磁组装新工艺。本文进行了补充和拓展。
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常规工艺
常规的工艺方法是先将华司与主磁组装,然后再与U 铁组装并充磁,在将反磁单独充好磁后组装到主磁路的华司上方。
问题点在于主磁路对反磁会产生排斥力,从而造成装配困难。容易装偏,甚至夹手。
文中是采用Femm进行了简单的仿真对比。不过只模拟了装配过程中某一个点的磁场分布,并未模拟整个装配过程中的完整受力分析。
所以我用Comol做了下完整的分析。
整个装配过程中的磁场分布变化
反磁受力变化
可以看到反磁受到向上的排斥力,首先越近越大,然后比较接近的时候,又会迅速变小。这种变化是符合装配的实践经验的。
02
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新工艺
新工艺是让华司与反磁先单独组装。
装配过程中的某一个时刻磁场分布
整个装配过程中的磁场分布变化
反磁和华司整体受力变化
可以看到受到的排斥力小了很多,甚至会出现吸引力。便于装配。