ANSYS的电源完整性、电迁移和热可靠性解决方案成功通过TSMC的16NM FINFET 技术认证
TSMC和ANSYS合作推出面向10nmFinFET工艺的早期实现方案
ANSYS宣布其RedHawk™和Totem™产品通过TSMC16nm FinFET （N16FF ）认证。该技术是第二代FinFET技术，相对于前一代技术而言可提供更多电源、性能和面积优势。TSMC采用设计规则手册（DRM）的V0.9和SPICE模型对上述解决方案完成了静态和动态电压降分析、电迁移（EM）验证和热可靠性等认证，而V1.0认证也将于2014年11月前完成。此外，TSMC和ANSYS一直通力合作，为TSMC的10nm（N10）工艺技术提供电源完整性和可靠性支持。通过实现特定的N10工具增强功能，客户现在能用ANSYS工具来开始他们的TSMC N10技术设计了。
FinFET技术是一种三维晶体管架构，能为移动、计算和网络应用带来更高性能、更低功耗的芯片。不过，相对于平面FET而言，用上述器件实施的设计有着复杂的金属几何结构和更高的驱动电流，因此电源完整性和电迁移成为了十分关键的设计要求。RedHawk和Totem的创新算法大幅减小了存储器封装，运行时间性能也能满足设计复杂性提升带来的计算需求。上述产品能支持精确的全芯片功率分析，为片上系统（SoC）和混合信号设计验收带来更多EM规则支持。
此外，FinFET架构因衬底的热传导性较低会出现较高的局部自动加热问题，由于翅片较窄，散热困难，进而也会影响设计的EM可靠性。RedHawk可支持TSMC基于测量的、具有微米级分辨率的自动加热模型，从而实现热聚合。
ANSYS的副总裁兼高级产品战略官Norman Chang指出：“ANSYS IC电源解决方案解决了TSMC最先进工艺节点和设计技术的电源、噪声及可靠性挑战。针对16nm FinFET Plus技术的RedHawk和Totem认证展现了我们的产品为双方客户提供的高度IR、EM和热验收精确性。”
TSMC设计基础设施市场营销部门的高级总监Suk Lee指出：“ANSYS工具中针对16nm FinFET 技术的RedHawk和Totem认证可帮助芯片设计人员高效地为新一代电子产品推出更加稳健可靠的SoC。”
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