ANSYS电源完整性和电迁移解决方案通过TSMC的认证，有助于提前启动10nm FinFET设计

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ANSYS 4月6日宣布其ANSYS® RedHawk™和ANSYS Totem™产品通过TSMC最新版10nm FinFET 设计参考手册（DRM）和SPICE模型认证，能充分满足移动、计算和网络应用的电源和性能要求。TSMC已经认证了面向静态和动态压降分析、高级信号和电源电迁移（EM）验证的解决方案，能满足10nm工艺要求。

FinFET产品复杂的器件结构和高驱动电流让电源完整性和EM成为了关键的设计要求。利用创新算法和分析引擎，ANSYS解决方案可提供所需的精确度，同时缩短周转时间，从而满足现代化产品不断提高的设计复杂性所带来的更高计算要求。RedHawk和Totem的高级技术支持，包括EM合规性和色彩感知型电阻提取等，都有助于实现更高的可靠性和可制造性。

ANSYS的副总裁兼总经理Fares Mubarak指出：“RedHawk和Totem通过10nm FinFET技术认证，有助于我们的产品为电源和高级EM验收提供所需的精确度。通过持续与TSMC合作，我们能为业界最先进的工艺节点提供优化工具和方法，为使用工具研究新兴设计技术的客户带来帮助。”

TSMC设计基础设施市场营销部的高级总监Suk Lee指出：“TSMC和ANSYS在10nm FinFET EM/IR工具认证方面展开了密切合作，帮助早期使用者确保片上系统的稳健性和可靠性，以满足新一代电子产品的要求。”

ANSYS产品组合将分别在加州圣何塞、德州奥斯汀以及波士顿即将举行的TSMC技术研讨会上和设计自动化大会（DAC）上进行展示，展台号为#1232。

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来源：Ansys

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首次发布时间：2022-08-19