ANSYS完成台积电对5nm FinFET工艺技术和创新系统集成芯片高级3D芯片堆叠技术最新认证

2019年4月22日，ANSYS和台积电宣布通过全新认证以及一系列全面的半导体设计解决方案帮助双方共同客户应对来自移动、网络、5G、人工智能（AI）、云计算以及数据中心应用下不断增长的新一代创新需求。

这些尖端应用的发展正在刷新电源与热约束环境中的性能极限。AI应用包括在云端和边缘应用中的训练与推断数据集，需要具有更高功能性的高功耗、高性能处理器。

台积电通过其最新5nm FinFET 工艺技术认证 ANSYS RedHawk 和 ANSYS Totem多物理场解决方案。该认证包括提取、电源完整性及可靠性、信号电迁移（信号EM）和热可靠性分析以及统计EM预算（SEB）分析。这些认证针对移动及高性能计算应用进行了优化，可为台积电最高级的工艺技术实现低功耗设计解决方案。

台积电设计基础架构管理部高级总监Suk Lee表示：“ANSYS解决方案通过了台积电业界领先的5nm FinFET、7nm和7nm FinFET 工艺认证，可帮助我们双方共同的客户更自信地验证核实其设计，解决不断增长的性能、可靠性及功耗难题。我们与ANSYS的合作成果斐然，这可帮助我们的客户在以领先AI、数据中心、云计算和移动应用为主的高增长市场上不断取得成功。”

ANSYS总经理John Lee表示：“多物理场分析有助于芯片在7nm及以下FinFET设计中取得成功。与台积电合作，帮助我们共同的客户使用我们的解决方案实现他们的功耗、性能、面积及可靠性目标，我们深感自豪。”

       

同月24日，台积电（TSMC）宣布针对其创新系统集成芯片（TSMC-SoIC）高级3D芯片堆叠技术完成 ANSYS解决方案认证。SoIC是一项高级互联技术，可使用硅通孔（TSV）和晶圆芯片键合工艺（chip-on-wafer bonding process）通过系统级集成实现多芯片堆叠，从而可帮助客户针对极为复杂的高要求云计算及数据中心应用方案实现更高的功效及性能。

ANSYS针对SoIC提供的多物理场解决方案包含寄生提取、电源及信号完整性分析、电源与信号电迁移分析，以及芯片内部热与热致应力分析提供多芯片协同仿真及协同分析解决方案。

除SoIC解决方案认证，台积电还使用ANSYS RedHawk、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA和ANSYS CSM以及对应的系统级分析芯片模型，验证了最新晶圆基底芯片（CoWoS）的标准技术参考流程。

台积电设计基础架构管理部高级总监Suk Lee表示：“我们对我们与ANSYS合作交付TSMC-SoIC技术参考流程的结果感到非常满意，其可帮助客户满足云计算及数据中心应用日益增加的性能、可靠性及功率要求。本次合作将ANSYS芯片-封装协同分析综合解决方案与台积电SoIC高级芯片堆叠技术相结合，解决了3D-IC封装技术中复杂的多物理场难题。”

ANSYS总经理John Lee表示：“我们的3D-IC解决方案可应对复杂的多物理场挑战，满足严苛的功耗、性能、散热及可靠性要求。ANSYS全面的芯片感知系统及系统感知芯片签核解决方案可帮助我们共同的客户信心百倍地加速设计收敛。”