ANSYS 3DIC多物理场仿真获得台积电SoIC最新先进封装技术认证

ANSYS 3DIC多物理场仿真已通过台湾半导体制造股份有限公司（台积电）认证，能够仿真系统级芯片（SoIC）的最新3D集成芯片（3D-IC）封装技术。 

3D-IC是由多个裸片或者晶片堆叠而成的集成电路，使用先进的硅通孔技术（TSV）和/或电通孔技术（TDV）垂直连接。 

ANSYS多物理场解决方案已通过台积电最新SoIC、CoWoS和InFO_MS先进封装技术认证。它可仿真3D-IC、2.5D-IC、FOWLP封装及其他高级封装技术。 

这种先进封装技术也有一个很流行的变种，通常称之为 2.5D-IC，就是在一个封装里面硅interposer上并排放置多个裸片。 

这些先进封装技术可提高高速云计算及数据中心电子系统的电源效率和性能。 台积电对ANSYS多物理场仿真的认证，有助于客户对SoIC封装技术进行多芯片协同分析与signoff。此外，这些仿真还可实现：

• 电源和信号网络的寄生参数提取； 

• 电源和信号完整性分析；

• 电源及信号电迁移分析； 

• 为系统级电源、信号和热完整性分析进行芯片建模； 

• 芯片上结点温度变化的热学分析； 

• 温度感知的电迁移分析； 

• 热应力分析。

台积电设计基础架构管理部高级总监Suk Lee表示：“我们对与ANSYS合作推出TSMC-SoIC封装技术参考流程的成果感到非常满意。该套流程可帮助客户解决云计算及数据中心应用日益增加的性能、可靠性及电源需求。本次合作将ANSYS芯片-封装协同分析综合解决方案与台积电SoIC先进芯片堆叠技术相结合，解决了3D-IC封装技术中复杂的多物理场协同仿真难题。” 

除了SoIC认证外，ANSYS多物理场解决方案还通过了台积电针对其它先进封装技术的认证，其中包括CoWoS 1.5和InFO_MS 1.0封装技术等。