Ansys多物理场解决方案通过三星Foundry全系列FinFET工艺技术认证

Ansys与三星再次加强合作，为其高端应用提供先进的电源完整性、热和可靠性签核工具

Ansys先进的半导体系列设计解决方案获得三星Foundry所有FinFET工艺节点的全新认证。在极为高端的半导体应用领域，此次认证将使双方客户实现对逐步提升的功率和可靠性目标，提高客户满意度。

Exynos手机处理器采用三星最新的FinFET工艺技术制造

三星新一代芯片工艺需要更大容量的工具，以支持大型设计和创新功能，包括统计电迁移（EM）预算分析和热可靠性分析，以解决复杂的设计问题。Ansys Redhawk-SC通过认证后可帮助三星客户设计既节能又高度可靠的芯片，满足5G移动设备、AIML、HPC、IoT等市场需求。此外，三星设计团队通过部署RedHawk-SC，对高级工艺节点设计的性能、功耗和可靠性进行优化。

经三星认证的Ansys Redhawk-SC和Ansys® Redhawk™用于全系列FinFET工艺节点，包括14nm、11nm、10nm、8nm、7nm、5nm和4nm等，并将就后续工艺节点与Ansys开展紧密合作。该认证包含用于多裸片集成的电源完整性EM和IR压降、统计EM预算、热分析和多物理场解决方案。Redhawk-SC通过在Ansys® SeaScape™底层基础架构上运行签核算法来验证数量庞大的4nm设计，从而将仿真时间从数周缩短到几个小时，同时还能提高建模精度。Ansys® Totem™也相应通过了晶体管级定制设计的认证。

三星Foundry生态系统认证Ansys签核工具可用于所有FinFET工艺节点

三星电子副总裁Sangyun Kim指出：“Ansys Redhawk-SC、Redhawk和Totem此次通过认证使我们双方客户信心大增，大幅增强应对电源完整性、可靠性和热挑战的能力，帮助他们快速完成新设计。三星与Ansys开展长期互信合作，将帮助我们的客户在高精尖芯片领域实现创新，满足严苛的性能要求，为赢得市场奠定基础。”

Ansys半导体事业部副总裁及战略负责人Vic Kulkarni指出：“业界领先的FinFET工艺助力客户快速推出尺寸更小、功耗更低的创新应用。但是，新的技术面临重重挑战，需要高级仿真驱动型分析平台，以最大限度地提高性能和可靠性。这项最新获得的认证应证了Ansys与三星Foundry之间深入持久的合作，使双方客户能够更有信心推进突破性产品的签核和验证。”