| 即漏源电压，这是MOSFET的一个极限参数，表示MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压值。需要注意的是，这个参数是跟结温相关的，通常结温越高，该值最大。 |
| 漏源导通电阻，它表示MOSFET在某一条件下导通时，漏源极之间的导通电阻。这个参数与MOSFET结温，驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds越大;驱动电压越高，Rds越小。 |
| 漏极电流，漏极电流通常有几种不同的描述方式。根据工作电流的形式有，连续漏级电流及一定脉宽的脉冲漏极电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOSFET的一个极限参数，但此最大电流值并不代表在运行过程中漏极电流能够达到这个值。它表示当壳温在某一值时，如果MOSFET工作电流为上述最大漏极电流，则结温会达到最大值。所以这个参数还跟器件封装，环境温度有关。 |
| 栅源极最大驱动电压，这也是MOSFET的一个极限参数，表示MOSFET所能承受的最大驱动电压，一旦驱动电压超过这个极限值，即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产生永久性伤害。一般来说，只要驱动电压不超过极限，就不会有问题。但是，某些特殊场合，因为寄生参数的存在，会对Vgs电压产生不可预料的影响，需要格外注意 |
| 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 |
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| IDSS表示漏源漏电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源漏流，mA级 |
| IGSS 表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响，uA级的电流 |
| 跨导,是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 |
| 栅极电荷，是在驱动信号作用下，栅极电压从0V上升至终止电压(如15V)所需的充电电荷。也就是MOSFET从截止状态到完全导通状态，驱动电路所需提供的电荷，是一个用于评估MOSFET的驱动电路驱动能力的主要参数。 |
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| 导通延迟时间.从输入GS电压上升到 10% 开始到 VDS 下降到其幅值 90% 的时间。 |
| 上升时间.输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。 |
| 关断延迟时间.从输入GS电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。 |
| 下降时间.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 |
| 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. 将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容为输入电容。Ciss由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。 |
| 输出电容，Coss=Cds +Cgd. 将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容为输出电容。Coss由漏源电容Cds和栅源电容并联而成。 |
| 反向传输电容，Crss=Cgc. 在源极接地的情况下，测得漏极和栅极之间的电容为反向传输电容等同于栅漏电容（Cgd越低越好） |
