高频COB金丝键合屏蔽处理仿真效果验证

今天看了匡老师的“Y7T88 亨通高频COB金丝键合屏蔽处理”，受益颇多，一时兴起，建立了简单的模型仿真看看屏蔽效果如何。

文中提到了两种抗串扰处理方式，一种是海信的GND交叉打线，一种是亨通的金属桥式屏蔽处理，参考下面两图：

根据上图建立下面3个简单模型：

• type A：相邻两对50ohm CPW，通过金线相连，GND和signal各两根金线；

• type B：在type A基础上增加交叉的GND绑线

• type C: CPW通过铜块接地，只保留中间的signal绑线；
  

对比type A和B，先说结论：

• 在0~20GHz对串扰有3-5dB的改善，对20GHz以上的串扰没有改善；

• GND交叉打线引入了额外的寄生电容，补偿了金线的电感，优化了阻抗；

详细仿真结果参考下面的图片：

再来对比type A和C，先说结论：

• 在0~20GHz对串扰有3-5dB的改善，对20GHz以上的串扰没有改善；

• 金属屏蔽桥引入了额外的寄生电容，补偿了金线的电感，优化了阻抗；

详细仿真结果见下面的图片：

仿真总结：

不管是GND交叉打线还是使用金属屏蔽桥，对串扰的改善主要体现在20GHz以下，对20GHz以上的频率串扰基本没改善；

实际上两种GND屏蔽处理的方式对阻抗的改善大于对串扰的改善，也就是按照两种两种GND屏蔽处理的方式，反射更小，损耗也小；

由于当前建立的仿真模型偏简单，跟实际项目会存在偏差，以上结论仅适用于当前模型。

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