用VASP求硅的电子态密度和能带

本文摘要（由AI生成）：

本文介绍了如何使用VASP软件计算硅的电子态密度和能带。过程包括生成输入文件、优化晶格参数、固定晶格参数求能态密度和费米能量、做非自洽计算求电子结构，并提取数据画图。此外，还提到了使用VASP输出电荷密度文件并进行处理的方法。最后，提供了联系作者获取更多MD相关信息的途径。

本文介绍用VASP如何求硅的电子态密度和能带，共分为如下5个部分：

(1).     生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS

(2).     优化晶格参数,求出能量最低所对应的晶格参数

(3).     固定晶格参数, 求出能态密度(DOSCAR), 确定费米能量

(4).     修改KPOINTS和INCAR输入文件,固定电荷密度,做非自洽计算,得到输出文件EIGENVAL

(5).     提取数据,画图

(1).      生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS

(2). 优化晶格参数,求出能量最低所对应的晶格参数

运行VASP程序, 查看SUMMARY.fcc输出文件:

(3).     固定晶格参数, 求出能态密度(DOSCAR), 确定费米能量

(i)         找到平衡晶格常数后, 把该值写入到POSCA件中,并增加K点数作一个离子步自洽计算(NSW = 0, IBRION = -1) .

(ii)   从DOSCAR输出文件中读出态密度和费米能级,费米费米能级也可从OUTCAR中读出.

(4).         做非自洽计算, 求电子结构

•       修改INCA件: 将参数ICHARG设为 11

•          修改KPOINTS输入文件

•       运行VASP程序,从输出文件EIGENVAL中提出电子结构

画出电荷密度

•     VASP输出电荷密度文件CHGCAR

•     采用免费程序LEV00处理数据文件CHGCAR www.cmmp.ucl.ac.uk/lev

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