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一篇文章入门高频电路三维有限元

3年前浏览1879

本文的所有内容基于作者的研发经历,偏向于研发测试人员,如有错误的地方,欢迎指正。


从以下几个方面介绍高频电路三维有限元仿真:

高频理论以及数值计算

高频电路简介

有限元理论

边界荷载

材料相关

几何和网格

后处理



高频理论以及数值计算相关

通常把高于0.5到1G赫兹的频率称为高频。在高频电磁场数值仿真领域,有限元成为非常有效的计算方法,HFSS,ADAS,CST以及mentor 高频仿真软件等都使用了有限元方法,当然这些软件中也使用了其它算法(参考附录),以后单独讨论。其中HFSS历史最为悠久,成为高频领域仿真事实上的标准,HFSS现归在ANSYS公司。

历史上,在有限元方法成功解决结构应力应变分析问题之后,科学家们自然而然想到把有限元方法应用在求解电磁场问题上,早期选择了和结构分析一样的基函数形函数,基函数使用电场和磁场强度的多项式表达式,将电磁强度放在节点上,但是在计算中发现常出现伪解,同时边界上很难处理。于是科学家们发明了棱边单元,将自由度放在边而不是节点上,扫除了有限元方法在电磁领域应用的障碍。


高频电路简介

电小尺寸,电大尺寸。

如果我们认为物理尺寸远远小于一个波长的时候,即k<<1,该结构是电小尺寸,反之,是电大尺寸。那么,这就是一个近知似的标准。这一小段距离应该有多小?对此,并没有统一的标准,但是,我们假设,当物理尺寸小于波长的1/10时,相位的变化就可以忽略,这样的结构就被认为是电小尺寸。


参考平面:参考平面是高频电路分析中常用到的一个概念。参考平面主要有两个作用:一是提供返回电流路径,参考平面一定是返回路径,但是返回路劲不仅仅包含参考平面,还可能包含与信号线同层的邻近导体;二是提供阻抗控制功能。高频电路是典型的电小尺寸。


高频下,电路中的电磁场会呈现一些特殊现象:

高频电路中,由于趋肤效应,电流会在聚集在金属的表面流动,聚集程度取决于频率的高低;寄生效应明显


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材料相关

又称电容率或相对电容率,表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据,常用ε表示。它是指在同一电容器中用同一物质为电介质和真空时的电容的比值,表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力。

导电率,多称为电导率,是表示物质传输电流能力强弱的一种测量值。当施加电压于导体的两端时,其电荷载子会呈现朝某方向流动的行为,因而产生电流。

许多介质的介电系数或其它本构参数随频率而变化,这类介质称为色散介质。色散介质的常用频域模型有以下几种:

1. Drude模型

Drude模型常用于等离子体,金属等介质的色散特性描述。

2. Debye模型

Debye模型常用于土壤,水,人体组织等介质。

3. Lorentz模型

Lorentz模型可用于生物组织,光学材料,人工介质等介质。

 

表面粗糙度:

通常仿真时假设导体表面非常光滑,但实际导体表面存在小突起有很多毛刺。表面粗糙度通常用表面凸起高度的均方根来衡量。由前面介绍的趋肤效应,电流在高频时会在金属表面聚集,金属表面粗造会显著增加信号的损耗。


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几何和网格

既然是有限元分析,就离不开几何和网格。

电路中的三维几何实体相对简单,走线,焊盘等多以长方体,圆柱体,正多边形拉伸体为主,再复杂比如扫掠的圆柱金线以及球形的焊球,梯形截面扫掠实体,少有建筑,机械中的复杂曲线曲面。当然其它器件比如连接器,接插件等会有各种曲线曲面几何,增加了几何处理的复杂程度。在实际仿真中一般很少会在三维设计软件中设计三维几何的电路,而是导入外部的二维设计文件,然后生成三维几何。三维软件主要以设计单元个数有限的组件(component)为主。


电磁三维仿真基本上都使用四面体网格,主要原因是四面体网格生成相对容易,而且四面体对复杂几何的适应性强。对于规则的几何,六面体其实是最佳选择,尤其是电路结构中的走线非常适合使用六面体,电磁六面体单元不存在结构分析中的沙漏和锁死问题,在不降低精度的同时以大幅减少网格数量,但实际工程中,各种非规则几何比如过孔,焊球,金线,连接器等,使得生成理想六面体比较困难。对于四面体结构,如果需要提升精度,简单加密网格数量或者提升阶次即可满足要求,同时由于使用了矢量单元,自由度放在边上,不存在结构刚度过大的问题,所以在网格的选择上,结构应力分析所摒弃的四面体反而成了电磁分析的最佳选择。


电磁求解的对象是麦克斯韦方程偏微分方程,理论上会有无数通解,为了得到定解就需要给定边界条件,同时为了验证电路信号完整性,电源完整性,对于非谐振,需要给定激励和荷载,通过S参数,Q品质因子等来判断电路的质量好坏。一般电磁软件中都提供了UI方便用户将激励和边界条件加载到几何对象上。


S参数

在高频电路中,经常会听到S参数。S参数是衡量电路质量的有效方法。S参数将复杂的电路看成一个黑盒,只在用户感兴趣的端口加激励,通过不同端口的能量入射和反射情况来确定电路的好坏,简化了三维电磁场分析工作。S参数保存在SNP文件中,SNP文件是一种通用的文本格式,所有的通用电磁分析软件都支持读写。具体细节内容可百度。www.cae-sim.com提供了SNP文件查看工具,可免费下载使用。


PEC

Perfect Electronic Conductor/Condition

理想导体边界,边界条件的电场矢量垂直于物体表面。


PMC

理想的磁边界条件,这种边界条件的电场矢量和物体表面相切,磁场矢量与物体表面垂直。


ABC

Absorbing Boundary Condition

也称辐射吸收边界,系统在辐射边界处吸收了电磁波,可以把边界看成是延伸到空间无限远处。由于在高频电路中,金属一般是平行或垂直于XYZ轴(保证电磁波在边界能吸收), 所以通常定义一个空气包围盒实体,该包围盒会把所有电路结构包含在内,同时把ABC定义在空气包围盒的面上。为了保证计算精度,ABC距离电路结构需要要有一定距离。


阻抗边界条件

Impedance用来模拟已知阻抗的电路性表面。由此衍生出分层阻抗边界条件(Layered Impedance)


激励

Lumped Port 和Wave Port是主流高频电磁软件两种常用的激励方式。

Lumped Port类似于传统的波端口,Lumped Port可以设置在物体模型内部,需要用户设定端口阻抗,直接在端口处计算S参数,设定的端口阻抗即为Lumped Port上的S参数的参考阻抗。

Wave Port 波端口

Wave Port一般都在边界和背景的交界处。外部端口需要通过传输线的方式才能将激励信号加入到结构中,而外部端口通常会定义成传输线的截面。Wave Port 支持端口平移,即将port平移后,不需要再仿真,只需进行简单后处理计算机即可。


单元选择问题

三维高频电路中最常用的是四面体单元,这是由于电路中工艺,传输性能等方面的原因,几何尽可能的保持简单,常用长方体,立方体,以及过孔圆柱体等;二次单元在性能,精度方面有很好的平衡,能满足大部分仿真需求。


后处理

前面提到了电磁分析是三维矢量单元,自由度上保存有电磁场数据,因此在后处理中可以通过云图查看场数据的分布情况。电磁场的云图显示实现和其它物理场的显示相同。在每个单元的节点上赋给电磁场值,设置最大最小值和颜色插值格式。需要注意的是,由于使用的是三维四面体单元,数据会很多,产生性能问题,通常只需要取到表面结果数据显示即可,这样可以大幅度减少数据量,并可轻松支持动画显示。


高频电路分析比如在信号完整性,电源完整性,电磁干扰等领域涉及到大量的基础专业知识,本文仅针对软件研发测试人员的入门介绍。



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首次发布时间:2021-02-20
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