(1)MOS管，一般是当做3端口器件，如果算上衬底的话，那就是4端口器件。因为很多时候，衬底经常与地(NMOS)或者VDD(PMOS)连接，所以经常略掉这个端口。(2)Ali教授[1]，在他的系列视频以及配套的书籍中，讲MOS管的时候，是从MOS capacitor开始的，也就是说，只有栅极，绝缘层和衬底层。在书中是以n-type型的衬底来举例的。当施加到栅极的电压VG发生变化时，这个MOS电容的工作状态会有相应的变化。当VG>0时，在metal-oxide的接触面上会积累正电荷，而在oxide-semiconductor的接触面上会有电子的积累，此时为accumulation mode，理想情况下，此时电容的值为Cox，即金属栅极和半导体表面之间形成的电容。当VG<0时，在metal-oxide的接触面上会积累电子，而在oxide-semiconductord处的电子开始被排斥，留下正离子，形成耗尽层。这个时候，呈现出的电容值，是氧化物电容Cox和耗尽区电容Cdep的串联。耗尽区之所以有电容效应，是因为当VG有波动时，耗尽区的宽度会有变化，从而耗尽区的电荷也有变化，产生电容效应[2]。当VG<0，且进一步下降时，在oxide-semiconductor的接触面处，开始出现反型层，即有自由移动的空穴产生。当空穴数量等于栅极中的电荷数量时，电容值重新变为Cox，因为此时VG有波动时，电荷的变化可以由反型层中的空穴来响应，不需要劳烦耗尽层了。所以，整个电容的变化曲线，如下图所示[3]。(3)如果在上面所述的2端口架构中，加入源极和漏极，那可以对源漏极做下述的连接，使得4端口MOS管，呈现出上面的电容特性，具体连接如文献[4]和[5]所示。文献中是以p-sub举的例子，所以电容随VGS的变化，和上图比，有一个镜像的关系。(4)当管子开始进入强反型层的模式后，在源极和漏极处加上电压，MOS管开始呈现出放大管的特性。因为Vgs的大小，能够控制反型层中自由电子的数量，从而控制Ids的大小。就如MOS管的小信号模型所示，此时管子具有放大作用。(5)最后照例，让deepseek批改作业。红色部分，deepseek给出了修正建议。参考文献：[1] Ali Hajimiri, Analog[2] deepseek[3] Donald A. Neamen ,Semiconductor Physics and Devices, Basic Principles 4th Edition, page 399[4] razavi，Design of Analog CMOS Integrated Circuits, second edition，page37[5] razavi，射频微电子，page485 来源：加油射频工程师
