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「静电放电发生器」静电效应及其作用规律

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第2677期



一、静电力学效应:

[静电放电发生器]静电带电体周围有静电场。由于静电场在正常情况下不均匀,静电场极化的介质颗粒会受到电场力的影响,受力方向指向带电体。也就是说,无论带电体有什么极性电荷,带电体都会吸引原来没有带电的灰尘颗粒。因此,悬浮在空气中的灰尘容易被物体吸附,造成污染。在半导体设备生产车间,如果半导体芯片带有静电,灰尘会吸附在芯片上,大大降低了集成电路的成品率,尤其是超大型集成电路。

在生产过程中,由于同一电荷的排斥作用和不同电荷的吸引作用,也会造成生产损害。例如,在纺织工业中,由于静电程中,由于静电的作用,丝绸会漂浮,粘合纠缠,在织造过程中,由于橡胶辊轴与丝纱摩擦产生静电,导致纱布、挂条、花、断头等,降低了齿梳理能力,影响产品质量和生产效率。在粉末加工行业,由于静电作用,筛孔变小或堵塞,气力输送管道不畅通,球磨机不能正常运行;在印刷行业和塑料薄膜包装生产中,由于静电的吸引力或排斥,影响纸张的正常分离和堆放,塑料薄膜不能正常包装和印刷,甚至出现静电墨点,使自动化生产困难。

二、静电放电的热效应:

静电火花放电或刷形放电一般在ns或μs级完成。因此,静电放电过程通常可以看作是一个绝热过程。空气中的静电放电可以使空气瞬间电离和突破,通过数安培的大电流形成局部高温热源,并伴随着发光和加热过程。这种局部热源会引起易燃易爆气体的燃烧和爆炸。静电放电过程中产生的瞬时大电流也会导致火药、电雷 管、电引信等电火装置意外发生火灾,造成爆炸事故。

在微电子技术领域,静电放电过程通过设备电阻在十分之一微秒内释放静电能量,平均功率可达数千瓦。如此大功率的短脉冲电流作用于设备,足以熔化硅片上的微区域,电流集中使铝连接局部区域球化,甚至烧毁PN结合金属连接,形成破坏性的热电击穿,导致电路损坏失效。

三、静电强电场效应:

静电荷在物体上的积累往往使物体对地面有高压,并在附近形成一个强电场。介质穿透对电路的危害是由过电压或强电场而不是造成的。

四、静电放电的电磁脉冲效应:

静电放电过程是电位和电流随时瞬时变化的电磁辐射过程。无论是放电能量小的电晕放电,还是放电能量大的火花放电,都能产生电磁辐射。这种静电放电电磁脉冲场可以对各种电子设备和信息系统造成电磁干扰。对航空、航天、航海领域和各种现代电子设备造成危害。

传播刷放电和火花放电是静电能量相对较大的ESD过程,峰值电流可达数百安培,可形成电磁脉冲串,对微电子系统造成强电磁干扰和浪涌效应,导致电路错误翻转或致命故障。即使采取完善的屏蔽措施,当静电火花放电发生在电路屏蔽盒上时,ESD的大电流脉冲仍会在仪器外壳上产生大压降,这种瞬时电压跳变会导致屏蔽内部电路感应电脉冲,导致电路故障。

五、静电放电对人体的电击效应:

当人体接近静电绝缘导体,或静电接近接地导体或机械设备等大金属物体时,只要人体与其他导体之间的静电场超过空气击穿场,就会形成静电火花放电,瞬时大电流通过人体或人体的某一部分,使人体被静电点击。通常,在日常生活和工业生产中,静电引起的电击一般不会导致人员伤亡。但可能会出现手指麻木或恐慌等。




来源:电磁兼容之家
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首次发布时间:2025-03-13
最近编辑:3小时前
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浪涌电流是什么意思?如何抑制浪涌电流?4种浪涌电流抑制电路

第2218期今天给大家分享的是:如何抑制电源转换器中浪涌电压?一、什么是浪涌电流?浪涌电流是电路打开吸收的最大电流,出现在输入波形的几个周期内。浪涌电流的值远高于电路的稳态电流,高电流可能会损坏设备或触发断路器。浪涌电流通常出现在所有磁芯的设备中,如变压器、工业电压等。二、为什么会出现浪涌电流?产生浪涌电流的因素有很多,比如一些去耦电容或平滑电容组成的设备或系统,在启动时会消耗大量电流对其进行充电。下面的图可以看到浪涌电流、峰值电流和稳态电流之间的差异: 浪涌电流、峰值电流和稳态电流之间的差异峰值电流:波形在正区域或负区域获得的电流最大值。稳态电流:定义为电路中每个时间间隔保持恒定的电流。当 di/dt = 0 时,达到稳态电流,这意味着电流相对于时间保持不变。浪涌电流特性:设备开启时立即发生出现时间跨度短高于电路或装置的额定值发生浪涌电流的一些示例:白炽灯感应电机启动变压器打开基于 SMPS 的电源三、电源转换器中的浪涌电压为了降低输入/输出的纹波噪声或EMI噪声,现在通常是在输入侧并联电容或者滤波器,如下所示。由于滤波器中有电容,当系统开始上电时,由于输入电压的快速上升,会产生很高的浪涌电流。这种情况可能会导致前端电源供电不足,或者触发过流保护,导致无电压输出,因此,浪涌电流的抑制变得越来越重要。 a图并联电容,b图并联了滤波器四、抑制浪涌电压的方法1、被动抑制如下所示,主要用于应用电路需要外接大量电容时。如果没有外部限流电路,直流母线电压开启时会产生很大的浪涌电压,可能导致前端电源压降进入保护模式。此时,只需在电容输入串联电阻和二极管即可,可以减轻浪涌电流。当直流母线通过电阻给电容充电时,可以限制浪涌电流,但是,当直流母线需要供电时,电容可以通过二极管将电能反馈给直流母线。 2、主动抑制另一种是采用带软启动电路的有源开关来限制浪涌电流。如下所示,MOS管通过软启动电路缓慢开启,因此,可以限制启动期间的浪涌电流,优点是不影响系统效率,不受缓解温度影响。缺点是需要外接电路,整体成本较高。 采用带软启动电路的有源开关来限制浪涌电流。五、使用MOS管浪涌电流限制电路如上所述,已经列举了2种浪涌电流方法。下面介绍使用MOS管导通电路来抑制输入电流此外,由于MOS管的导通损耗低,使用方便。优点是零件少,缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道基本相同,只是电压相反。在初始阶段,C1上的电压为0V。输入电压通过R2充电到C1。最后C1上的电压通过分压R1和R2之间的电压来确定。Q1 开启状态由 Vgs 电压决定。-Vgs<-Vgs(th) 和 -Vgd<-Vgs(th)MOS管处于截止状态,类似于开路。-Vgs>-Vgs(th) 和 -Vgd>-Vgs(th)MOS管处于欧姆模式。Vds和Id的特性就像一个电阻,随着Vgs电压的升高而变小。-Vgs>-Vgs(th) 和 -Vgd<-Vgs(th)MOS管 处于饱和模式。Id是固定值,不随Vds变化。而且MOSFET的导通电阻很低,适合开关。 有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)从MOS管特性描述来看,欧姆模式最适合抑制浪涌电流。至于R1、R2、C1的计算,可以用下面的公式: 在相同的R1下,C1越大,MOS管工作在欧姆模式的时间越长,这意味着限制浪涌电流的效果会更好。2、无源浪涌电流限制器电路一般的无源方式是在输入端串联一个热敏电阻,但由于热敏电阻受环境温度影响较大,当环境温度较高或输入电源多次快速开闭,将起不到保护作用。下图给出了可以改善这种现象的电路,使用二极管和电阻并联,与电容并联。不仅可以抑制浪涌电流,而且不容易受温度变化或者输入电源快速打开和关闭多次的影响。工作原理是当有输入电压时,输入电压通过给R1和Cl充电,当系统负载需要电源时,Cl通过二极管向负载放电。 无源浪涌电流限制器电路从图中可以看出R1与浪涌电流成反比,因此可以通过以下公式计算R1: R1 损失 t 可以粗略地看成是一个二倍的时间常数 阻力损失可以通过公式(6)得到。六、结论为了加强DC/DC转换器的抗噪声能力,常用的方法是在输入端加电容。但由于电容的特性,会在电源输入端产生浪涌电流。如果不抑制浪涌电流,输入电源可能因保护电路而无输出,并可能损坏输入电路或保险丝。上面介绍两种抑制浪涌电流的方法,一种是利用MOSFET的导通特性来抑制浪涌电流。另一种是使用无源元件,通过电阻给电容充电,然后通过二极管放电回系统。有源抑制电路的效果优于无源抑制电路,但元件数量多于无源抑制电路。无源抑制电路的元器件使用最少,但必须考虑电阻的损耗和功率选择。来源:电磁兼容之家

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