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上次Deepseek不是说我错嘛,我当时还没被说服,不过,现在想明白了,确实是我错了

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(1)

上一篇文章的文末,不是提到,deepseek说我有理解错误么?当时看着deepseek的说法,觉得不能被说服。现在想明白了,确实是我错了。虽然看deepseek的说法,第二点上还是有一点小疑问,但是整体上,我是同意的。

(2)
空穴,虽然在很多时候,被称之为带着正电荷的载流子。不过,其实,这只是一种等效,是一种对电子在共价键中留下的空位的等效。
在razavi的书中,有提到:
在Ali的书中,有提到:
从字里行间,都能体味出这点来。
说到Ali教授的书,经过号友提醒,才看到视频下面的链接。虽然很久以前也看到过,但是时隔久远,已然不记得有这么一本书了。
书还没有完结,但是2023年刚更新过。
看着书中的内容,再配合上教授的讲解,有些细节之处互相补充,猛然觉得更明了了。
有需要的同学,可以通过:https://chic.caltech.edu/wp-content/uploads/2023/01/Hajimiri_Analog_DRAFT012023.pdf
这个链接下载。
所以,看到空穴,我一直提醒自己,它不是空穴,它只是一个位置,电子一有机会,就会过来坐上的。
(3)
就如deepseek和号友留言所说,负离子不是因为有VG而产生的,而是在掺杂过程中就产生的。
也就是说,B原子旁边的空穴,在掺杂的过程中,周围共价键中的电子,就会过来,在B原子周围,形成新的共价键。
我是看到这幅图以后,猛然醒悟的!
(4)
不过,就如最上面提到的, 仍然有一处存在小疑惑。那就是deepseek在第2点提到说,掺杂B原子,在初始的时候,是带+1价。
这个我就有点想不通了,按照空穴其实是个空位的理解的话,B刚替代Si的时候,B原来最外围有3个电子,Si原来最外围有4个电子,正好是初始的模样么,不应该是中性么?
然后来了一个电子以后,因为这个电子,才变成了-1e的电荷量。

不过,我翻来覆去地问deepseek,他给我的结论还是这个,所以难道还是我理解的不对?



来源:加油射频工程师
电子ADS芯片
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首次发布时间:2025-03-04
最近编辑:3小时前
加油射频工程师
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