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LS-DYNA电池行业应用介绍(三)

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LS-DYNA使用同一模型可以同时求解结构-热-电等多方面的多物理场问题,可以应用在电池的挤压和针 刺方面,可一次性得到结构变形信息、热信息、电流电压及SOC剩余载荷等信息。多物理场电池挤压和针 刺采用分布式等效电路模型,可以模拟电池的局部短路,模型中电池电的相关输入参数和热的输入参数可以与Fluent共用。


本系列将介绍LS-DYNA中电池结构分析相关的推荐材料模型,以及多物理场挤压、跌落和针 刺案例。


     

LS-DYNA等效电路模型



厚壳单元建立的模型进行模组级别的仿真,计算速度相对较快。而现实中想要模拟pack级别(如整车电池包中),则需要更高的计算速度。LS-DYNA提供BatMac模型(实体单元),且针对每个节点进行了等效电路处理,拥有正极和负极,可直接应用于整车或者pack级别仿真,计算速度更快。



得益于电方面更少的等效电路数量,相对先前的厚壳单元模型,BatMac模型计算速度可提高约20倍。



LS-DYNA同时提供热失控模型,关键字为*EM_RANDLES_EXOTHERMIC_REACTION。用户可通过编写C语言函数定义化学反应的升热功率等参数。右侧案例分别为未考虑热失控以及考虑热失控的电池挤压仿真,可以看到考虑热失控的模拟温度比未考虑热失控的计算结果高出很多。



LS-DYNA R13版本计算该案例可能会遇到“Error10246”报错,需将*EM_MAT_001里的每一个材料修改为单独的材料卡。热失控模型报错可以将变量cur按报错提示改成current解决。



使用Meshless模型对外部短路进行模拟,用一个等效电路描述一个电芯/模组/pack。



电芯多物理场四种建模方法:实体单元,厚壳单元,BatMac,Meshless,用户可根据不同的场景进行选择。



为满足整车的碰撞计算速度要求,电池仿真需要使用BatMac模型。由于电芯在受到挤压/碰撞的时间通常在100~200微秒之间,但后续的放热时间却相对较长。此时可采用刚柔转换功能,在碰撞之后将电芯转换成刚体进行后续的放热分析,包括热分布求解、热失控求解等。



针 刺模型(当前的等效电路模型只能考虑针 刺体为绝缘体)。关键字*MAT_ADD_EROSION定义失效,以及*CONTROL_IMPLICIT_GENERAL曲线控制针 刺(显式计算)后显式转隐式计算(侵彻结束后结构部分长时间的放热转成隐式计算),以及关键字*EM_CONTROL_EROSION关键字需要同步考虑在内。



     


模组单元由两个电芯组成,每个电芯用关键字*EM_RANDLES_BATMAC定义,且每个电芯厚度方向有三层实体单元网格。



每个电芯包含热相关材料、电相关材料及结构变形材料。极耳使用关键字*EM_MAT_001定义电导率、结构材料、热材料。



上图展示了电路的连接,使用等势体定义和连接。



模组多物理场跌落案例。跌落的过程使用柔性体,跌落之后的长时间放热过程则使用关键字*DEFORMABLE_TO_RIGID_AUTOMATIC转变为刚体计算。


后处理软件中可以观测到SOC变化。



模组针 刺导致内部短路温度上升的案例模型。



Pack级别跌落测试模型,包含四个模组。



涉水模型,LS-DYNA可实现ICFD、电、结构、热耦合计算。



LS-DYNA 从R13版本开始加入了电芯的厚度方向以及SOC的变化,可以考虑电池膨胀的情况。




冲击损失+振动疲劳损失案例。LS-DYNA R13版本开始可根据冲击带来的残余应变和损伤,进行后续的随机振动分析。



     

小结


   
LS-DYNA新能源锂电池可应用于:    
  • 电芯\模组\电池包级别的冲击、跌落、挤压等大变形工况;

  • 多次冲击、多次跌落损伤累计;

  • 橡胶大变形、胶粘大变形;

  • 多物理场挤压、针 刺、水中短路;

  • 冲击后的残余应力和损伤对随机振动的影响;

  • 卷绕分析
优势在于:    
  • LS-DYNA使用一个模型可以同时求解结构-热-电磁(EM)等多方面的多物理场问题,可以应用在锂电池的挤压、针 刺、球击、遇水短路等工况,可一次性得到结构变形信息、热信息、电流电压及SOC剩余载荷等信息;

  • 开放接触电阻、短路机制、热失控机制等接口,用户在模型中使用C语言方便自定义模型;

  • 完善的断裂仿真方案:材料应变率效应、gissmo断裂损伤模型、断裂参数优化方法、SPG高精度不删网格的伽辽金断裂模拟方法;

  • 集成短纤维材料映射到碰撞模型;

  • 具有EFG算法可以模拟橡胶等柔性物体的极度大变形,易于收敛;

  • 锂电池行业LS-DYNA用户众多,便于经验交流

- END -

来源:摩尔芯创
ACTLS-DYNAFluentDeform振动疲劳断裂碰撞化学电力电子新能源参数优化GID材料
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2024-12-05
最近编辑:8小时前
摩尔芯创
光学仿真、光学培训、硅基光电子
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【Lumerical系列】无源器件-端面耦合器2丨十字型异质多芯波导

本期是Lumerical系列中无源器件专题-端面耦合器第二期。本期主要基于一种十字型异质多芯波导的端面耦合器进行详尽分析,并通过Ansys Lumerical MODE模块中的FDE Solver 和EME Solver,对波导的宽度和波导之间的距离以及劈尖波导的长度和相对位置进行优化,最终实现了与高数值孔径光纤(HNAF)的高效率耦合。背景介绍随着光芯片制造工艺中套刻技术的发展和三维波导制造工艺的不断完善,多层波导的制造工艺需求逐步被满足,目前越来越多的研究聚焦于高折射率、小截面尺寸的波导。其中Si3N4在光通信波段具有透明窗口和低温度敏感性,且工艺与CMOS高度兼容,其在硅光体系中得到了广泛的应用。Si3N4薄膜的沉积工艺和刻蚀工艺十分成熟,其折射率略大于SiO2和SiON,它对光场的约束能力介于Si波导和SiO2包层之间,因此成为基于高折射率、小截面尺寸波导的端面耦合器设计中最具潜力的材料之一。2021年,Sun[1]等提出了采用5根Si3N4波导的端面耦合器结构,其与模场直径为8.2 μm的光纤的耦合损耗达0.44 dB。传统SOI波导一般位于芯片波导区的最底层,而在其设计中,底层的Si3N4波导低于SOI波导,使得制备难度很大。2022年,Liang等[2]采用对SiO2包层进行高折射率掺杂以及对SiO2包层进行深刻蚀的设计方式,实现了与标准单模光纤之间的耦合,耦合损耗同样低于1 dB。2023年,Yu[3]和He[4]等人仅用1层Si3N4波导且不对SiO2包层进行高折射率掺杂和深刻蚀的端面耦合器,分别在铌酸锂波导体系和三五族波导体系中完成了光纤耦合,其耦合损耗分别达到了0.75 dB和1.175 dB。而本期文章我们要分析的是一种基于十字型Si3N4波导的异质多芯SOI波导端面耦合器[5],实现了与高数值孔径光纤(HNAF)的高效率耦合。结构设计基于十字型波导的端面耦合器的整体结构如图1(a)所示,包括十字型波导结构和绝热演变型定向耦合结构。图1(b)是十字型波导的横截面图,相较于传统的矩形波导结构,该设计涉及额外的2层Si3N4沉积和刻蚀工序。在十字结构中,上层1根和中间3根波导都为Si3N4波导,底层1根波导为Si波导。此异质多芯波导端面耦合器得益于底层为硅波导的设计方式,简化了制造流程,降低了制造成本。从左到右看,光场先通过Si-Si3N4绝热劈尖,从Si波导耦合到单根Si3N4波导,再由Si3N4-十字波导劈尖转移至十字型波导端面,并与光纤耦合,图1(c)展示了十字型异质多芯波导的模场分布。图1 (a)十字型波导耦合器的整体结构图;(b)十字型异质多芯波导的截面图;(c)十字型异质多芯波导的模场分布图参数优化 1. 十字型Si3N4波导的设计选定Si3N4的厚度为300 nm,侧壁倾斜角度为80°。通过Ansys Lumerical MODE模块中的EME Solver进行参数扫描,可得十字型波导与高数值孔径光纤的光场之间的模场匹配度与d、w的关系如图2所示,图2(a)和图2(b)分别表示TE模和TM模的模场匹配度,其中d表示波导与中心波导的中心距,而w表示Si3N4波导的宽度。通过选择合适的d和w的值以实现最优耦合效率。图2 十字型波导与HNAF光纤的模场匹配度。(a)TE模;(b)TM模2. 底层半刻蚀硅波导的设计将十字型波导中的Si3N4波导的尺寸参数设置为第一步分析得到的最优值。用第一步扫描的方法可得十字型波导与高数值孔径光纤的模场匹配度与dSi和wSi的关系如图3所示,其中dSi表示底层Si波导与中心Si3N4波导的距离,而wSi表示Si波导的宽度。当半刻蚀Si波导的厚度设定为70 nm时,其与光纤的模场匹配度如图3(a)、(b)所示,而当Si波导的厚度设定为150 nm时,其与光纤的模场匹配度如图3(c)、(d)所示。由图分析可知150 nm厚度的半刻蚀Si波导更适合本端面耦合器的设计,同时,还需选择合适的dSi和wSi以实现最优耦合效率。图3 十字型波导TE模和TM模与光纤的模场匹配度。(a)和(b)为使用70 nm厚Si波导;(c)和(d)为使用150 nm厚Si波导3. 劈尖波导的设计绝热型定向耦合器能够进行倏逝波定向耦合的条件为:当上下波导组合成的系统的有效折射率大于两个单波导的有效折射率时,模场可以从一个波导耦合到另一个波导中。因此,通过Ansys Lumerical MODE模块中的FDE Solver仿真了绝热型定向耦合器的有效折射率与构成定向耦合器的上下波导(下端波导为Si劈尖波导,上端波导为Si3N4劈尖波导)的有效折射率的差值,通过分析比较二者的折射率差值大小来确定绝热型定向耦合器2根劈尖波导的形状,以达到最优的模斑转换效率。图4展示了在不同Si波导、Si3N4波导宽度下,两波导组合结构的有效折射率与单个波导的有效折射率的相对差值,差值越大说明 光场的耦合越强。图4 双波导有效折射率与单波导有效折射率的相对差随波导宽度的变化。(a)TE模;(b)TM模在确定劈尖波导的宽度后,还需对劈尖波导的长度进行扫描,包括绝热劈尖长度和Si3N4-十字波导劈尖长度。这部分同样可使用Ansys Lumerical MODE模块中的EME Solver进行扫描,可得这两部分长度分别对模场转换效率的影响,分别如图5(a)和图5(b)所示。图5(a)绝热劈尖长度对模场转换效率的影响;(b)Si3N4-十字波导劈尖长度对模场转换效率的影响性能分析与总结本篇文章主要是通过Ansys Lumerical MODE模块中的FDE Solver 和EME Solver,完成了对器件结构的设计。图6所示的仿真结果展示了SOI条形直波导与高数值孔径光纤(模场直径为4.0 μm)之间的模场转换情况。图6(a)展示了在1550 nm波长处所设计的端面耦合器在不同横截面处的光场分布,从图中可以看出,光场在I~III区域通过绝热劈尖实现了从下端Si劈尖波导到中心Si3N4劈尖波导的转移,光场在IV~V区域通过Si3N4锥形波导实现了从中心Si3N4波导到十字型波导结构的转移,模斑尺寸逐渐变大,直至在端面处与光纤完成对接。图6(b)是光场在耦合器内传输的剖面图。通过EME Solver仿真得到在1550 nm 处端面耦合器的耦合效率为97.1%(TE模式)、97.5%(TM模式)。图6 光场在模斑转换器中的传输情况。(a)对应横截面的模场分布;(b)光场分布的俯视图除性能结果外,该器件在工艺上也具有一定优势,其不需对SiO2包层进行深刻蚀、不涉及包层掺杂的高耦合效率Si3N4-半刻蚀Si十字型异质多芯波导端面耦合器结构,其制造过程相较于传统SOI芯片制造仅增加了两层Si3N4波导的制造,除了两层Si3N4波导的层间距离不适用于多项目晶圆(MPW)之外,其他工艺均可以通过MPW实现。参考文献:[1] Sun S, Chen Y, Sun Y, et al. Novel low-loss fiber-chip edge coupler for coupling standard single mode fibers to silicon photonic wire waveguides[C]//Photonics. Multidisciplinary Digital Publishing Institute, 2021, 8(3): 79.[2] Liang Y, Li Z, Fan S, et al. Ultra-low loss SiN edge coupler interfacing with a single-mode fiber[J]. Optics Letters, 2022, 47(18): 4786-4789.[3] Yu Z, Yin Y, Huang X, et al. Silicon nitride assisted tri-layer edge coupler on lithium niobate-on-insulator platform[J]. Optics Letters, 2023, 48(13): 3367-3370.[4] He A, Cui Y, Xiang J, et al. Ultra‐Low Loss SiN Edge Coupler for III‐V/SiN Hybrid Integration[J]. Laser & Photonics Reviews, 2023, 17(10): 2300100.[5] 张立桀, 范艳晶, 胡晶晶, 等. 基于十字型异质多芯波导的硅光端面耦合器[J]. Acta Optica Sinica, 2024, 44(19): 1913001-1913001-8.来源:摩尔芯创

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