仿真实例138：利用CST计算平板电容的大小

希格斯玻色子

1天前浏览94

作者 | Zhou Ming

如上图所示，上下两个金属板之间，有一个悬浮的金属板，通过CST来计算外侧两个金属板之间的分布电容。

利用Es-Solver计算电容大小

首先我们利用低频Es-Solver来计算电容大小。设置方法非常简单，首先在上下两个金属板分别设置Potential，电压分别是+1V和-1V。

中间悬浮的金属板设置为Floating。

点击Es-Solver，勾选“Calculatecapacitance matrix”，点击Start。

在1D Results中可以看到计算出来的电容是1.12e-13F。

利用Prlc-Solver计算电容大小

切换到Prlc-Solver同样可以计算分布电容的大小，而且是宽频带的，频率范围设置为0-10KHz。

接下来是添加Node。我们只需要在上、下两个金属板的top和bottom层分别设置RLCNode，总共是4个。中间的金属板不需要设置Node。

点击RLC求解器，添加Node Pair，勾选“Calculate patialcapacitances”，点击Start。

在1DResults的Capacitance(lumped)中可以看到计算出来的宽带电容是1.12e-13F，和Es求解器结果完全一致。

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来源：CST电磁兼容性仿真

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大家好,我是CST电磁兼容性仿真。这是我的第71篇原创文章。为避免错过干货知识,欢迎关注公众号，共同学习，共同进步！案例背景：高压屏蔽线在不同位置单端接地对辐射发射屏蔽效果有什么不同或者影响。单端接地点一般是两个位置：（1）屏蔽单端接控制器。（2）屏蔽单端接地高压电池。分别如图，S1和S2。话不多说，直接用CST仿真来看一下屏蔽效果的区别。线速用我上一篇文章建立的高压屏蔽线线束。模型建立如图（1）屏蔽单端接控制器。原理图如下共模电流的流向如图，从电源端通过电源线和屏蔽线之间的寄生电容和PCB板电机机壳的分布电容分别从屏蔽线和电机控制器的机壳，再通过接地线到大地流回到电源端。（2）屏蔽单端接地高压电池。原理图如下共模电流的流向如图，从电源端通过电源线和屏蔽线之间的寄生电容从屏蔽线回流到接地线S2到电源端。因为电源线和屏蔽线之间的寄生电容肯定大于PCB板电机机壳的分布电容和屏蔽线对机壳的寄生电容，所以大部分的共模干扰都是从电源线和屏蔽线之间的寄生电容这条路径通过。最后看一下辐射发射Probe上的仿真结果对比，如图，绿色实线是屏蔽单端接地高压电池，蓝色虚线是屏蔽单端接控制器。总结：如郑老师的《EMC电磁兼容设计与测试案例分析》所说：高压屏蔽线屏蔽单端接控制器相对于屏蔽单端接地高压电池，共模电流的环路面积小很多，电场强度和环路面积成正比，所以屏蔽单端接地高压电池发射电场强度更小。来源：CST电磁兼容性仿真