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共模电流和差模电流对辐射发射的模型分析和影响对比

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上周硬件微讲堂公众 号上搞了两次有奖问答送书活动,有不少同学积极参与。在参与活动的过程中,我希望同学们不止是回答2个问题就完事了,更希望同学们能够看到问题背后所蕴含的信息。基于上周讨论的两个问题,今天我们再继续探讨下。


   

一道问题


   

   


照例,我们先抛出来一道问题:相同大小的差模电流和共模电流,谁产生的辐射更大?大的是小的多少倍?


或者 换一种问法:


产生相同的辐射能量,需要的差模电流和共模电流,谁更多?倍数关系大概是多少?


这个问题,旨在研究差模电流和共模电流对辐射发射的影响模型,并做定量分析,明确各自贡献的程度。


   

差模电流对辐射发射的模型分析


   

   


研究差模电流对辐射发射的影响,需要先搭建下分析模型和影响方式。这个可以基于上周讨论的第一个问题。为保障文章的独立性,我们再把上周的问题重温下。存在这样一个回路,长度L=1m,宽度s=100mil,回路载有频率约为50MHz的差模电流Id。在距离该回路所在平面为d=3m的位置有一个接收天线。


问题:在不考虑地面反射的前提下,要使得接收天线接收到的辐射发射能量不超过100uV/m,此时的差模电流Id不能超过多少mA?(请保留小数点2位)


上面就是差模电流辐射模型。根据题目描述,这里包含有2个关键信息:

①差模电流引起差模辐射;

②前置条件为不考虑地面反射;

基于上述信息,我们可以知道本题目的重点在于求解差模电流引起的差模辐射。可以参考如下公式来求解:



其中Id是我们的待求解项,单位是A;f=50MHz;A是环路面积,A=Lxs,其中L=1m,s=100mil,注意需要把单位调整为m;d是距离,d=3m;E是电场强度,E=100uV/m。


把这些数值代入上面的计算公式,

如果红色划线部分的系数取的是1.316,则Id=3.59mA;

如果红色划线部分的系数取的是1.3,则Id=3.63mA。



在有些书籍上,场强计算公式的系数取的是2.6或2.632,如上图。小编这里想说,公式本身没有问题。系数1.3或1.316,考虑的是自由空间,周围没有反射面的情况。而2.6或2.632是考虑了地面反射的情况。地面反射可增大测量的反射量(可达6dB及以上),所以要乘以系数2,以修正地面反射。


所以,根据上面的分析,这道题的答案应该在3.59mA和3.63mA之间。


从上述公式中,也可以看出降低差模电流的差模辐射发射,可以通过:

①减小电流环路面积A;

②降低差模电流Id;

③增大场源和接收天线的距离d;

④降低频率f或电流的谐波分量。


来源:硬件微讲堂

电场
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首次发布时间:2024-11-22
最近编辑:3天前
硬件微讲堂
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电路的环路怎样才算小?如何定量判断?

▼关注公 众号:硬件微讲堂▼大家好,我是硬件微讲堂。这是我的第102篇原创文章。为避免错过干货知识,欢迎关注公众 号回答问题加入免费技术交流群,抱团取暖,共同进步! 在硬件电路的设计过程中,老工程师们经常意味深长地提醒新手们:“你这个环路绕得太大”“你这个电感不能这么放,走线绕远了”“PCB走线要尽量控制环路面积”,“硬件设计要减小环路”,……诸如此类,可是不晓得新手们到底是否理解环路怎样才算小,小到多少才算小?今天我们就一起来探讨下这个。 一道问题 照例,我们先抛出来一道问题:硬件电路的环路,怎样才算小?如何定义这个小,有定量的计算吗?硬件微讲堂的老粉儿,估计能感觉出来:硬件微讲堂截止到目前已经发了100篇原创,即探讨了100个技术问题。刚开始提的问题多是面试中经常遇到的问题,后来是面试中不经常遇到的问题,再后面多是面试中压根不会遇到的问题。问题的深度也是越来越深,很多都需要一定的硬件经验和基础才能说出个123。硬件微讲堂的小编一直在深挖和探究硬件的神秘之处,希望能和大家一起共同精进。 哪些环路需要关注? 一个电路里面可以包含有多个环路,大小不一的环路。比如之前在《电容的滤波和退耦,你当真理解?》提到过的由退耦电容构造成的输入环路,如下图所示:比如之前在讲Buck电路时有提到过FCCM模式的4种电流回路,如下图所示,是由于电路在不同工作状态下开关器件动作构造出的不同环路,具体可以看下付费专辑文章《FCCM模式下Buck电源的4种电流回路解析》。由此看来,电流环路可谓是五花八门,多种多样。怎么办?我们需要都关注吗?答案是不需要!我们只需要关注那些具有高dV/dt,高di/dt的环路。而那些仅仅是直流或者变化率很低的环路,优先级可以适当往后放一放。因为具备高dV/dt,高di/dt的环路,其内部的交流分量、谐波分量往往很多。从EMC三要素的维度来考虑,这种环路就是三要素中的干扰源,需要给予“重点关注和特殊照顾”。 如何关注和照顾? 这里说的“关注和照顾”,就是文章开头老工程师提到的“PCB走线要尽量控制环路面积”、“硬件设计要减小环路”,还有“回流要顺畅”、“回流路径要尽量短”、“参考层要完整”……这些,不是本次要讨论的重点,具体不做展开。 怎么才算照顾到位? “照顾到位”,也就是老工程师口中提到的环路要小的“环路小到位”,如何定量衡量?这个问题,不晓得屏幕前的你是否考虑过、研究过。可能有的同学会说:要结合具体的电路设计,比如一个Buck电源,需要结合器件封装、PCB尺寸、器件布局、电流大小等要素来确定器件布局,以达到器件之间的“紧耦合”,让环路尽可能小。很难去定义怎么才算小。好的 ,那既然不好定义如何算小,那我们换个思路,如果判断这个环路是否太大,有没有一个限值呢?恐怕这个问题,也很难回答。今天二火从EMC的维度来探讨下。前面在《电容的滤波和退耦,你当真理解?》中提到,在自由空间中,环路辐射强度的公式:E是电场强度,S是环路面积,I是电流,f是频率,d是和环路之间的距离。由此可以看出,环路面积S越大,空间辐射强度E就越大。所以,前面提到的尽量控制/减小环路面积是有道理的。但是这个公式是以自由空间为讨论的前提,在现实世界中,我们绝大部分的电子产品都是在地平面上工作的,大地类似一个镜子,提供了一个反射面,这个反射面增大了可以测到的辐射量,大概是2倍的样子,我们对这个公式的系数稍作调整:有了这个公式,我们再稍作变换:把环路面积S单独挪到左侧,这样我们就得到了关于环路面积的求解公式。我们分析下上面的式子,E是电场强度,单位是V/m,d是距离,单位是m,I是环路电流,单位是A,f是频率,单位是Hz。回想下,我们在做EMC实验室做测试时,好像上面E,d,f这三个数值都有,只有I和S不知道。在CISPR25标准中,清楚地写到各个频率f段内的电场强度E的限制,实验室环境搭建中明确了天线距离待测物的距离d。如上图红框所示,辐射骚扰测试(ALSE法)中Class3中,明确要求在30MHz时,E的PK限值为52uV/m。如上图红框,辐射骚扰测试时天线距离待测DUT的距离d规定是1m。如果我们的产品要求是满足CISPR RE Class3,我们想知道f=30MHz时,环路面积不能超过多少,此时我们知道,在f=30MHz时,Emax=52uV/m,d=1m,还缺少一个数值:环路电流。注意,这个电路是我们设计的,环路电流心里多少应该有数,假设I=25mA。那么,我们根据上面的公式,可以求解出Smax=0.88平方厘米。注意上面公式中单位的换算哈,V/m和uV/m,A和mA,Hz和MHz。这样我们就可以知道,在30MHz时对于25mA的环路电流,在距离1m处电场强度限定为52uV/m时,环路的最大面积是0.88cm2。如果环路超出这个面积,那么辐射可能超标,不能满足法规要求。 总 结 先聊到这里,梳理下今天讨论的内容:①提出问题:环路要小,怎样才算小?②限定范围:具有高dV/dt,高di/dt的环路才需要重点关注;③解决方案:控制环路的多种措施;④衡量标准:给出定量判别的标准。点击上面专辑/课程名称可直接访问详情页。其中,《信号振铃解析》课程搭配理论计算、仿真分析、实测波形,多维度解析振铃,旨在让各位同学能够切实理解和掌握振铃的特性、内在逻辑、危害以及如何抑制。课程目录如下:怎么样?一个简短的问题,给出的回答可浅可深,就看你对这个知识点的理解达到怎样的程度。你学废了么?关注“硬件微讲堂”,硬件路上不慌张!来源:硬件微讲堂

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