SiC MOSFET的典型失效分析曲线
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大家好，我是电源漫谈，对于SiC MOSFET的批量而言，通过早期筛选，可以找出有明显内部缺陷的器件，减小应用风险，确保栅极氧化层可靠性。通常采用给每个器件施加预定幅值和时间的高栅极应力脉冲，来进行筛选。
老化实验是常见的早期筛选方法，给半导体器件施加高温，高压，从而让器件进行高负荷工作，从而诱发缺陷引起的失效，这个过程会让器件提前进入偶发失效期，从而减小器件失效率。
上图是SiC和Si的可靠性浴盆曲线，对于Si而言，前期为偶发失效期，经过这个区域后，失效率明显变低，而SiC不是这样，其偶发失效期会经过较长时间慢慢降低的趋势，所以对于SiC的早期筛选是一个重要的课题，既能起到筛选明显缺陷，有不至于让器件处于老化条件下导致阈值电压和导通电阻漂移。
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参考来源：SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告
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