首页/文章/ 详情

基于HFSS的轨道角动量天线设计

2月前浏览1579
  1. 相关理论介绍

轨道角动量因其模数的无限性与正交性在提升通信容量 方面有着巨大的潜力,对解决频谱资源不堪重负的现状有很强的现实意义。

经典电磁理论指出,电磁辐射不仅携带线性动量,还有可能携带角动量。对光波而言,角动量和线性动量之间的关系可简单地表示为L =r +p ,其中表示角动量,r表示光子的位置矢量,p =mv 表示线性动量。角动量可分为自旋角动量SAM和轨道角动量OAM两部分,用S和J分别表示他们,则L可以表示为:

L = S + J

对于线极化光波,有S=0,在考虑传播方向上的角动量时,如z轴,它与x、y平面上的线性动量有关。p =mv =ε_0 E xB ,E和B分别表示电场和磁场。因此,对于TEM波而言,不论是圆极化波还是线极化波,其电场与磁场均存在于x、y平面内, 线性动量p平行于z轴,因此在传播方向上不会有角动量产生。这表明,在传播方向上,如果没有电场或者磁场的分布则角动量也不会产生。实际情况下,由于有限性的限制,TEM波是不存在的,轴向场总是存在,因此电磁辐射总会伴随着角动量的传输。如图1所示,涡旋波的坡印廷矢量放向不是沿着z轴直线传播,而是呈现“螺旋上升”的形式。


图1涡旋电磁波坡印廷矢量变化示意图


图2 不同结构偶极子圆环阵

采用线极化的偶极子进行圆环排布,是得到涡旋波的常用方法,图2给出了(a)放射状结构,(b)切线结构和(c)均衡结构的三种排布方式。实验发现对于相同的阵元个数,实现相同的轨道角动量模式数时,沿一个方向放置的阵列比射线放置和切线放置的阵列所辐射的波束更准直,且有更少的副瓣和更强的辐射强度,并且,用阵列方法产生涡旋电磁波时,各阵元的极化方式必须相同,且只有在与发射阵元相同的极化方向上才能获得设定模态的涡旋电磁波。

对于由单元离散排列组合成的圆环,其产生的模式数量和单元个数有关,应满足-N/2<L<N/2。其中,N是单元个数,L就是OAM模式,馈电采用∆φ=2piL/n为每个单元间的相位差即可。

2.基于线性极化贴片单元的OAM天线设计

本节设计微带贴片形式的AOM天线,单元如图3所示。


图3 单元设计


图4 S11


图5 单元增益

图4和图5分别是单元的S11和增益情况,天线工作在X频段,中心频率选择10GHz,增益7.7dBi。将上述单元,呈圆环状排布,用图2的(c)形式,建立模型如下


图6 八单元结构

将设计的单元排布成图6的形式,根据前面的公式推导,L的取值可以是-3,-2,-1,0,1,2,3,再根据=2piL/n,可以得到单元的相位差,设置如图7。


图7 端口设置





图8 L=0,1,2,3的3D方向图





图9 L=0,1,2,3的波前相位图

上图8和9给出不同模式 L=0,1,2,3情况下的远场辐射图和波前相位图,可以清楚地看到,不同模式下的增益和相位分布,用线性单元产生了OAM波。

3.总结

本文详细给出了OAM天线的理论基础和设计过程,有一定的指导意义。

最后,有相关需求欢迎联系我们。

来源:320科技工作室
HFSS通信电场理论
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2024-09-01
最近编辑:2月前
320科技工作室
硕士 | 结构工程师 lammps/ms/vasp/
获赞 222粉丝 344文章 303课程 0
点赞
收藏
作者推荐

基于gaussian计算NICS值评估分子体系的芳香性和反芳香性

计算分子NICS值的基本流程Gaussian程序提供了关键字(NMR)来计算体系的磁屏蔽张量。而通过磁屏蔽张量就能容易计算出各向同性屏蔽值。计算NICS值的基本流程包括:(1)优化分子结构(2)在优化的结构基础上,设置需要计算NICS值的位点(3)使用NMR关键字计算磁屏蔽张量(4)结果分析2、优化苯环的结构优化计算的输入文件如下:设置NICS(0)和NICS(1)的计算位点在计算NICS值时,由于我们想要计算的位置并没有原子,因此我们需要在这个位置上添加一个虚原子,用符号Bq表示。其过程如下:用GaussView6打开2.1步骤优化成功的输出文件,在View的下拉菜单中选择CartesianAxes选项,以显示原子在坐标轴中的相对位置(如图所示)。在GaussView菜单栏中点“selectAllatoms”按钮(见图2箭头指向的选项),选中所有原子。设置NICS(0)的计算位点:首先在GaussView6原子选择菜单中选择虚原子(GaussView6|Elementfragment|Bq),然后点击Builder下拉菜单中的PlaceFragmentatCentroidofSelectedAtoms选项,即在所选原子的几何中心处增加了一个虚原子(见图3)。然后点击“symmetrize”按钮(图3蓝色箭头指示的选项),使苯环置于xy平面上。设置NICS(1)的计算位点:保存文件,并用文本模式打开,由于在上一步中,我们增加的虚原子只是给出NICS(0)的值(即将苯环平面置于xy平面上,并将Bq设为苯环的中心,也就是坐标原点),因此我们接下来设置NICS(1)处的虚原子坐标,根据NICS(1)的定义,我们只需再添加一行虚原子和坐标即可,如下所示:第14行为NICS(1)设置的虚原子,通过复制第13行NICS(0)虚原子而来,仅是修改了坐标z的值。4、计算磁屏障张量现在得到的输入文件如下,其中关键字NMR表示计算磁屏蔽张量。5、获得NICS(0)和NICS(1)的值以文本格式打开输出文件,13和14号虚原子分别对应NICS(0)和NICS(1)的位置,如下所示:其中第1行的Bq即为NICS(0)虚原子对应的位置,7.5538为NICS(0)对应虚原子位置处的各向同性化学位移屏蔽值。由于NICS值为各向同性化学屏蔽值的负值,因此苯的NICS(0)和NICS(1)分别为-7.5538和-10.5301,这也表明苯分子具有芳香性,当比较不同的分子时,NICS值越负,表明具有越强的芳香性。来源:320科技工作室

未登录
还没有评论
课程
培训
服务
行家
VIP会员 学习 福利任务 兑换礼品
下载APP
联系我们
帮助与反馈