(1)MOS管,一般是当做3端口器件,如果算上衬底的话,那就是4端口器件。因为很多时候,衬底经常与地(NMOS)或者VDD(PMOS)连接,所以经常略掉这个...
之所以想起来写这个话题,是因为昨天有一个号友发了一篇我以前写的相控阵噪声系数的文章,聊了一点点关于相控阵噪声系数的问题。说实话,我有...
(1)后台有人问,杂散怎么解决?哦,调测东西,可能还是要具体问题具体分析。有时候问题不是出在明面上,而是在某个微小的细节上面。不过,一般...
(1)空穴的移动,从底层来讲,是邻近的共价键中的电子,脱离原来的共价键,去填补空位,而在原来的共价键中又留下一个新空位的过程。如下图所示...
我是半导体中的一个小小的电子;在绝对温度T=0K的时候,我被束缚着,没有足够的能量挣脱;当温度上升的时候,热能赋予我力量,让我挣脱束缚,...
(1)今天看了Ali教授书中的1.1.4CarrierDistribution。这个章节的开头是这样开始的:大概的意思是,Fermi-Dirac分布f(E)表示的是电子占据能量态...
(1)有号友说他以前学习模电的时候,对着空气,能把书中的内容讲出来。这种方法,听起来就很有效,当然看到他本人对理论知识的熟悉程度,就更加...
(1)在NMOS管反型层的形成的时候,在接触面附近,先是有负离子,然后才有自由移动的电子,就如razavi在文献[1]中所说:"Sincethegate,th...