烧结银
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- 烧结银1年前发布了帖子DTS（Die Top System）预烧结银焊片助推功率模块快速上车 DTS（Die Top System）预烧结银焊片助推功率模块快速上车
对于功率器件而言，器件越小越好，但是功率半导体在有用的同时能有多小存在可接受的极限。这是因为它承载电流的能力与物理面积息息相关。所有半导体都有一个共同点，那就是需要将结处生成的热量散出去。这也是一个与物理尺寸关系密切的性能表征。
SHAREX推出了和碳化硅功率模块生产线配备的全银烧结和预烧结银焊片、帮助客户提高碳化硅功率模块产品的品质和综合性能。客户可以根据自己工艺特点，灵活选用GVF预烧结银焊片（DTS TCB（Die Top System Thick Cu Bonding）等最具代表性的先进工艺及封装技术。
银烧结技术是目前碳化硅模块领域最先进的焊接技术，可以完全满足车规级功率模块对高、低温使用场景的严苛要求。相较于传统锡焊技术，银烧结可实现低空洞率，低温烧结高温服役，焊接层厚度减少60-70％，适合高温器件互连，电性能、热性能均优于锡焊料，电导率提高5-6倍，热导率提高3-4倍。
为进一步提升功率模块的电性能及可靠性，善仁新材建议客户采用GVF9000预烧结银焊盘DTS TCB技术：即在常温条件下通过超声焊接将粗铜线与DBC或者AMB基板、及芯片表面的GVF预烧结银焊片进行键合连接，实现彼此间的电气互联。相较铝线键合，模块寿命可提升3倍以上，且电流和导热能力可大幅提升；由于芯片互联的接触面积增大，浪涌电流增加25%。与传统的功率模块相比，采用GVF9000预烧结焊盘使功率器件额外的性能使系统级的电流密度提高了一倍。
SHAREX针对车规级碳化硅功率模块产品，推出了三个系列烧结银产品：加压烧结银AS9385，烧结银膜AS9395和预烧结银焊片GVF9000，采用善仁新材烧结银的碳化硅功率模块相较于传统硅基IGBT模块具有更高功率密度、可靠性、工作结温，更低杂散电感、热阻等特性，性能达到或者超越国际先进水平，可有力支持车企客户电机控制器实现从硅到碳化硅的替代，显著提升整车电能效率，降**造和使用成本。
相比焊接模块，使用了SHAREX烧结银的银烧结技术的模块对结构、使用寿命、散热产生了重要影响，采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍，烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%，热传导率提升3倍，美国，日本，德国等国外厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术，银烧结技术成为芯片与基板之间连接的不二选择；在烧结银基础上善仁新材协同客户开发出双面银烧结技GVF预烧结银焊片（DTS TCB（Die Top System Thick Cu Bonding））系列产品，此工艺是将烧结银烧结在铜上，这样就可以在芯片正面用铜线或者铜带代替传统的铝线，降低了焊接时芯片的破损率，提高了产品的良率；使用AS9595烧结银膜，可以取消底板将基板直接烧结在散热器上，大大简化了模块封装的结构，减轻了模块重量。
采取GVF预烧结银焊片（DTS TCB（Die Top System Thick Cu Bonding））的顶部冷却封装。可以把器件的外形设计的更加紧凑，在提高系统效率的同时大幅降低空间需求。此外，可以改善模块的散热效果，同时降低了系统成本。借助GVF预烧结银焊片（DTS TCB（Die Top System Thick Cu Bonding）），设计人员能够轻松设计出质量卓著的产品和应用。
GVF预烧结银焊片（DTS TCB（Die Top System Thick Cu Bonding））将会帮助客户在功率密度、通流能力，功率循环能力和芯片耐用性方面树立行业新标杆。
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