DCDC选型时，如何计算MOS管的栅极电流？--高速电路实践案例4-6

EE小新

11月前浏览6651

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1. 案例来源：高速电路实践第四章

2. MOS管作为压控流器件，为什么需要提供栅极电流？--MOS管寄生参数

3. 文章目的：提供一种MOS管栅极电流的计算方法，如数据手册已提供栅极电流的近似计算方法，请忽略本文计算方法

4. 应用场景：BUCK型DCDC

5. 已知前提

输入电压：15V

输出电压：3.3V

MOSFET: IRF6727MpbF

Ciss=6190pF

Crss=610pF

MOSFET完全导通时Vgs=4.5V(根据最大RDSon确定)，

输出电压3.3V，要求VGS>7.8V=4.5+3.3V（根据BUCK拓扑确定，可画简图辅助理解）

设VGS=10V， 要求Tr<100ns，则Iiss=Ciss*dV/dt=6190pF*10V/100ns=619mA

MOS管完全导通后，Crss靠近漏极电压由15V降到接近0V，Crss靠近栅极处电压由0V上升到10V，

电压变化量为10V+15V=25V，则Irss=Crss*dV/dt=610pF*25V/100ns=152.5mA

因此栅极电流Ig=Irss+Iiss=772mA

MOS 管的参数很多，大家设计过程中多关注一点，设计就能少出错。MOS管属于压控器件，工作的时候在栅极消耗的电流极小，响应速度和工作效率都远远高于三极管，非常适合DCDC应用。

来源：射频工程师的日常