仿真实例138：利用CST计算平板电容的大小

大家好,我是CST电磁兼容性仿真。这是我的第71篇原创文章。为避免错过干货知识,欢迎关注公众 号，共同学习，共同进步！案例背景：高压屏蔽线在不同位置单端接地对辐射发射屏蔽效果有什么不同或者影响。单端接地点一般是两个位置：（1）屏蔽单端接控制器。（2）屏蔽单端接地高压电池。分别如图，S1和S2。话不多说，直接用CST仿真来看一下屏蔽效果的区别。线速用我上一篇文章建立的高压屏蔽线线束。模型建立如图（1）屏蔽单端接控制器。原理图如下共模电流的流向如图，从电源端通过电源线和屏蔽线之间的寄生电容和PCB板电机机壳的分布电容分别从屏蔽线和电机控制器的机壳，再通过接地线到大地流回到电源端。（2）屏蔽单端接地高压电池。原理图如下共模电流的流向如图，从电源端通过电源线和屏蔽线之间的寄生电容从屏蔽线回流到接地线S2到电源端。因为电源线和屏蔽线之间的寄生电容肯定大于PCB板电机机壳的分布电容和屏蔽线对机壳的寄生电容，所以大部分的共模干扰都是从电源线和屏蔽线之间的寄生电容这条路径通过。最后看一下辐射发射Probe上的仿真结果对比，如图，绿色实线是屏蔽单端接地高压电池，蓝色虚线是屏蔽单端接控制器。总结：如郑老师的《EMC电磁兼容设计与测试案例分析》所说：高压屏蔽线屏蔽单端接控制器相对于屏蔽单端接地高压电池，共模电流的环路面积小很多，电场强度和环路面积成正比，所以屏蔽单端接地高压电池发射电场强度更小。来源：CST电磁兼容性仿真