硬件工程师必备的过压、过流保护方案合集

一、过压保护方案

图 2 过压保护电路

图2电路基本原理：

当 Vin 电压输入正常范围时，稳压二极管 D1 没有被击穿，未进入稳压状态。D1的负极电压为Vin，此时三极管Q2的Vbe=0，处于截止状态。MOS管Q1的栅极电压由电阻R3，R4分压决定，根据所选PMOS的导通电压值设定R3，R4的值使PMOS管导通，电源正常工作。

当Vin输入大于正常输入电压，此时输入电压Vin>Vbr，稳压二极管被击穿，其上电压为Vbr。三极管Q2导通，Vce≈0，因此Q1的Vgs≈0，mos管关闭，电源电路断开，从而实现过压保护。

图 3 保护Q1栅源极

注：

a、电路本身具有通用性，可以根据具体电路选择稳压二极管D1及R1的值，R1选取要注意，不能让流过D1的电流低于起稳定电流Iz，否则可能导致管子的稳定性能变差；

b、R3、R4要根据选取的mos管的Vgs来具体做调整，此处电路还有个风险，输入电压过大时可能会把mos管栅源击穿，可以考虑加一些防护，如上图 3 可做一些参考；

2、过流保护方案